ABB | 3BHL000390P0104 5SHX1960L0004 | MÓDULO IGCT

Descrição do produto: 

A tecnologia IGCT aplica dois níveis de integração: monolítico em o wafer e híbrido para a periferia do GCT.
Em muitos casos, o antiparalelo os diodos podem ser integrados monoliticamente. Isso elimina a pilha de diodos e associados conexões de corrente pesada.
A integração desse tipo só se torna impraticável nas correntes mais altas e o GCT e o diodo devem permanecer separados. A integração híbrida alcança uma combinação mais próxima de GCT, unidade de acionamento e resfriador. As sinergias da construção mecânica produzem vantagens com relação ao tamanho reduzido, maior estabilidade e menor custo. Cada segmento do wafer, do qual uma unidade de 3 kA tem mais de 2000, “sabe” quando deve comutar e executa o comando correspondente independentemente dos outros. Uma vez que todos os segmentos respondem exatamente da mesma forma, a operação paralela ideal é alcançada e a capacidade de comutação varia proporcionalmente à área do wafer. Portanto, é relativamente simples desenvolver uma família adequadamente graduada de dispositivos GCT.

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